Разница между памятью ddr3 и ddr3l

Совместимость поколений оперативной памяти

Оперативная память имеет несколько поколений. Это DDR1, DDR2, DDR3 и DDR4. Естественно, о связи поколений не может быть и речи. Невозможно совместить DDR2 с DDR3 или DDR4. Планки работать не будут. Вы сразу услышите посты BIOSа, которые будут сигнализировать о том, что планки несовместимы.

Однако здесь нужно обратить внимание на некоторые факты. До выхода DDR4 в свет выпустили модули DDR3L

Пометка L указывает на то, что это низковольтная планка. Она потребляет всего лишь 1,35 V, в то время, как DDR3 потребляет 1,5 V. В напряжении заключается различие этих двух типов ОЗУ. Их совместимость возможна, но не желательная.

Объем ОЗУ и режим работы

Покупая материнскую плату, каждый пользователь ПК обращает внимание на количество слотов под ОЗУ и режим их работы. Большинство материнский плат имеет от 2 до 6 слотов под DDR, которые работают в одно- и двухканальном режиме

Объем здесь не имеет значение. Можно дать ПК столько ОЗУ, сколько не будет превышать норму, заявленную производителем материнской платы.

Что же касается режима работы, то важно отметить, что все современные настольные сборки и многие ноутбуки поддерживают многоканальный режим ОЗУ. Так, при таком режиме доступ к памяти идет не по одному, а по нескольким параллельным линиям

Материнские платы с четырьмя слотами под DDR работают в двухканальном режиме, то есть на 1 канал у них отведено 2 разъема. При двухканальном режиме работы, все слоты DDR открашены в различный цвет, а при многоканальном – в один цвет.

Важно отметить, что для того, чтобы планки ОЗУ работали корректно в многоканальном режиме, нужно:

  • Иметь планки одинакового объема;

  • Иметь ОЗУ от одного производителя;
  • Модули ОЗУ должны быть одинакового формата DDR 2 или 4 и с одинаковой частотой работы.

Какой частоты и тайминга можно комбинировать ОЗУ?

Часто пользователи ПК интересуются, можно ли комбинировать модули ОЗУ различных таймингов. Ответ на этот вопрос прост: Да, можно комбинировать. Однако, каждая единица ОЗУ хранит информацию о поддерживаемых частотах и таймингах внутри себя. Контроллер памяти считывает данные с микросхемы и подбирает режим, в котором могут работать все модули. И здесь самое интересное: модули будут работать на низших частотах. Поэтому, если вы совместите одну сильную планку ОЗУ со слабей, то работать оперативная память будет на низших частотах.

Можно ли совмещать ОЗУ различных производителей?

В теории оперативная память от различных производителей может работать нормально. Однако, как показывает практика, два одинаковых модуля от различных производителей могут конфликтовать. Поэтому желательно приобретать оперативную память не просто одного бренда, а фабричные наборы из нескольких модулей. Такие комплекты тестируются и 100% будут работать в паре.

Выводы

Подводя итоги можно отметить, что совместить можно модули ОЗУ различных производителей и таймингов. Однако тип планок должен быть одинаковый. DDR2 не будет работать в паре с DDR3. И при подборе планок ОЗУ стоит выбирать модули с одинаковым таймингом. В противном случае, ОЗУ будет работать с меньшим таймингом и производительность ПК будет низкой.

Чем DDR4 лучше DDR3 — основные отличия

Категория: Периферия

Собирая новый компьютер многие задумываются о целесообразности выбора платформы с поддержкой нового типа оперативной памяти — DDR4. Выясним, стоит ли переплачивать за DDR4 или DDR3 ещё конкурентоспособна и не сильно уступает в быстродействии, в чём принципиальная разница между этими типами памяти.

DDR4 работает при более низком напряжении. 1.2 вольта по сравнению с 1.5 у DDR3. Это не много и экономия для домашнего компьютера выйдет незначительной. Но в серверных решениях и data-центрах даже экономия в 15 Вт с одной платформы может дать хороший результат.

Большая разница между типами памяти в частоте работы. В DDR3 она начиналась с 800 Мгц и достигала 2133 Мгц. Модули DDR4 начинают работать с 2133 Мгц. К сожалению, есть и обратная сторона повышения частоты — увеличение временной задержки сигнала (тайминг).

Тайминг указывает время за которое оперативная память записывает, считывает или проводит операцию обслуживания модуля. Записывается обычно в виде 9-9-9-24, где первая цифра относится к считыванию, вторая — записи, третья — к выполнению действия, а четвёртая — показывает время полного цикла выполнения всех операций. Чаще всего в качестве тайминга указывают только цифру чтения.

Для примера, память DDR3-1600 имеет тайминг 13.75 наносекунд при чтении, а DDR4-2133 — 14.06.

Сравнение DDR3 и DDR4

Исходя из технических характеристик видно, что время задержки у DDR4 выше, чем у ее предшественника. Однако при линейном чтении данных или их сохранении за счет практически не меняющихся таймингов эта разница компенсируется, и ОЗУ четвертой модели выигрывает. При работе в многопоточном режиме за счет меньшей латентности выигрывает DDR3 в пределах статистической погрешности. Выполняя сжатие файлов большого размера (объем от 1,5 ГБ и выше), потраченное время на операцию у DDR4 на 3 % меньше, чем у DDR3. Спецификация оперативной памяти третьего поколения предусматривает использование Vddr напряжение. При осуществлении энергозатратных операций оно повышается за счет встроенных преобразователей, тем самым происходит обильное излучение тепла. Модуль DDR4 получает необходимое напряжение от внешнего источника питания (Vpp).

В ОЗУ четвертой модели реализована технология Pseudo-Open Draid, она позволила полностью устранить утечки тока, что наблюдалось в предыдущей версии, где используется Series-Stub Terminated Logic. Применение данного интерфейса для ввода и вывода данных позволило снизить потребление энергии до 30 %. Что касается объема памяти планки DDR4, то минимальное значение составляет 4 ГБ, а для DDR3 оно является оптимальным т. к. максимальное равно 8 ГБ. Структура оперативной памяти третьего поколения позволяет разместить до 8 банков памяти с длиной строки 2048 байт. Последняя модификация ОЗУ имеет 16 банков и длину строки 512 байт, что увеличивает скорость переключения между строками и банками.

Из сравнения DDR3 и DDR4 можно сделать вывод, что последнее поколение ОЗУ обходит своего предшественника практически по всем параметрам, но эта разница мало заметна для обычного пользователя. Оперативная память DDR3L 1600 МГц в сочетании с процессором Intel Core i5 практически не уступают DDR4. ОЗУ четвертого поколения рекомендуется устанавливать для современных игр или работы в специализированных программах, которые требуют большого объема памяти и высокой скорости обработки данных.

Основные отличия между DDR3 и DDR4

Рассмотрим основные различия:

  • DDR3 поддерживает плотность памяти только до 8 ГБ, а DDR4 до 16 ГБ.
  • Частоты DDR4 намного выше, чем у модулей DDR3. Это делает модули DDR4 быстрее благодаря повышению скорости передачи.
  • Наименьший порог напряжения у версии DDR3 1.35 В, а у DDR4 — 1.05.
  • Модули DDR3 имеют 240 контактов, а DDR4 — 288.
  • Насечки на модулях находятся в разных местах.
  • Память DDR3 поддерживает только 8 внутренних банков памяти, а DDR4 — 16 банков.

Несмотря на преимущества нового типа памяти, разница в производительности системы с DDR3-2133 Мгц и DDR4-2133 Мгц в ряде приложений и игр составляет всего пару процентов, в то время как цена на новую платформу обойдется намного дороже.

DDR3 vs DDR4. Кто круче?

Добрый день, уважаемые читатели. У многих возникает вопрос, какую оперативную память выбрать DDR3 или DDR4? В чем отличие между ними и что лучше подходит для игр? Сегодня мы разберемся во всех этих вопросах и затронем сопутствующие вопросы по этой теме. Мы, конечно, уже разбирались в вопросе, как выбрать ОЗУ для компьютера, но сегодня подробнее остановимся именно на этих двух типах памяти. Почему? Потому что не все могут с легкостью определиться в выборе. Мы поможем!

Как известно, технология DDR4 появилась на рынке вместе с процессорами 6-го поколения от Интел под кодовым названием SkyLake (небесное озеро). Соответственно использовать DDR4 желательно только с новыми процессорами 6-го и 7-го поколения (и выше).

А вот с какого поколения процессоры начнут поддерживать ОЗУ DDR5 пока не известно.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Теория и подводные камни

Стоит пройтись по теории и возможным трудностям, которые могут возникнуть в процессе апгрейда.

Для начала нужно узнать, что мы можем поставить в ваш компьютер. Для этого нужно провести диагностику и выяснить модель материнской платы, а также характеристики памяти, установленной в текущий момент.

  1. Скачайте приложение AIDA64. Эта простая диагностическая утилита позволяет узнать все необходимые для нас сведения.

  2. Запустив приложение, разверните подменю «Системная плата». В нем, перейдя в одноименный подпункт, вы сможете узнать модель материнки – с ней и идем на сайт производителя, и узнаем спецификации и поддерживаемые типы памяти.

  3. Далее идем в «SPD». Здесь можно увидеть исчерпывающую информацию, касающуюся вашей оперативной памяти, причем не только установленный в данный момент объем, а еще и распределение планок по слотам, модель каждой планки и ее характеристики. Нас интересует в основном строка «Тип памяти». Типов бывает несколько: SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 и DDR4. В зависимости от типа конкретно вашей памяти и нужно думать, что же взять, отправляясь в компьютерный магазин.

Материнская плата с несколькими слотами для оперативной памяти

Определившись с типом, стоит ознакомиться с типичными подводными камнями в деле выбора оперативной памяти. Многие из них успешно отметаются где-то на этапе просмотра характеристик материнской платы на сайте производителя, однако нарваться на несовместимые и нерабочие модули все же можно.

В первую очередь, соотносите память и процессор. Это бывает редко, но все же бывает – память и процессор тоже могут быть несовместимы. Можно сходить на сайт производителя вашего процессора (узнать его модель можно в той же AIDA64, во вкладке ЦП), и, если поиск по сайту не дал результатов, можно написать в его техподдержку, указав точные модели процессора и памяти. В большинстве случаев вам ответят, причем даже достаточно быстро.

Модули от AMD не подходят для процессора от Intel

Также стоит обратить внимание на то, можно ли использовать ваши модули в двухканальном режиме. Без него все тоже прекрасно работает, но если вы купите одинаковые планки и воткнете их в симметричные слоты – все станет куда лучше и быстрее

Что ж, все, что вам нужно было знать об оперативной памяти, вы теперь знаете. Можно переходить к установке новых модулей.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

DDR 2 и DDR 3

Основные отличия DDR 2 и DDR 3, сводятся к следующему:

  • Главной отличительной особенностью двух этих стандартов памяти, является то, что они имеют совершенно разные слоты и ввиду их наличия, является невозможным совместить их друг с другом.
  • DDR 3, располагает намного большей тактовой частотой. В новой версии она составляет 1600 МГц, а в предыдущей — всего 800 МГ.
  • В отличие от своей предыдущей версии, DDR3, имеет возможность похвастаться наличием намного большей пропускной способностью и гораздо меньшим энергопотреблением.

Действительно, в некоторых ситуациях совершенно не уместно заменять старенький DDR2, ведь в преимущественном большинстве случаев, особенно учитывая то, как значимая часть пользователей ПК, проводит свой досуг, хватит и его. В то самое время, не следовало бы забывать о том, что DDR2 и DDR3 — это совершенно разные типы оперативной памяти и ввиду наличия настолько большого количества отличительных особенностей, совершенно глупо путать их между собой. Кстати говоря, сейчас появился стандарт памяти DDR4, который также, как и все его былые аналоги, будет иметь целый перечень всевозможных отличий. При этом, стоить он будет гораздо дороже!

https://youtube.com/watch?v=Az0xXsCzk24

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

  • Уменьшить их емкость.
  • Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

  • DDR — 2, 5 В.
  • DDR2 — 1, 8 В.
  • DDR3 — 1, 5 В.
  • DDR4 — 1, 2 В.

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Сравнение DDR 3 и DDR 4

Думаю, вы сами догадываетесь, что DDR 3 и DDR 4, представляют собой такие стандарты оперативной памяти, которые, к огромному сожалению, не могут быть взаимозаменяемыми, ну или совместимыми. Кроме этого, отличаются они скоростью осуществления собственной работы, а также некоторыми показателями частоты. Так, в том случае, если максимальная частота обыкновенной DDR 2, составляет всего 800 МГц, то в случае с DDR 3, этот показатель увеличивается к 1600 МГц.

Не рекомендуется ставить DDR 2 и DDR 3 на одну и ту же материнскую плату, поскольку они являются совершенно несовместимыми. Отличаются два этих стандарта памяти также и тем, что DDR3 расходует гораздо меньше электроэнергии, а также гораздо быстрее охлаждается. Кстати говоря, в настоящий момент времени, в продаже находятся так называемые гибридные материнские платы, главной особенностью которых, является то, что у них имеются разъемы сразу-же под обе разновидности ОЗУ. Однако, следовало бы учесть то, что пользоваться ими можно только отдельно друг от друга.

Немного истории

DDR3 – третье поколение синхронной динамической памяти SDRAM с удвоенной скоростью. По сравнению с предшественниками напряжение питания снижено до 1,5 В. Существует (и до сих пор используется) модификация DDR3L, у которой рабочее напряжение еще меньше – 1,35 В, то есть на 10%.

Модуль DIMM имеет 240 контактов. Расположены они на плате симметрично, однако работают асинхронно. Ключ затвора расположен не там, где у остальных типов памяти, поэтому совместимость невозможна ни теоретически, ни практически – вы попросту не вставите такую планку в неподходящий слот.

Согласно спецификации, существует несколько модификаций DDR3, рабочие характеристики которых отличаются.

Таблица для наглядности:И да, если я завел речь про историю, то массовую популярность этот тип памяти начал обретать в 2012 году, хотя появился еще в 2007.

DDR4 – четвертое поколение. Объемы продаж превзошли предшественника только в 2017 году, хотя появились такие планки на несколько лет раньше. Типы отличаются между собой как внешне (физически новинка немного шире), так и по характеристикам.

Количество банков здесь удвоено и достигает 16, что позволило увеличить скорость внешней шины данных. Благодаря механизму проверки четности, повышена надежность модуля памяти. Рабочее напряжение снижено до 1,2 В.

Характеристики DDR4 показаны в таблице:Как видите, разница существенна: даже у самых слабых моделей выше и частота памяти, и частота шины, пиковая скорость передачи данных. Следует отметить, что лучше и почти все остальные характеристики. Почитать детальнее об основных характеристиках оперативки вы можете в этой статье.

Особых различий в параметрах между DIMM для десктопных компов и SO‐DIMM для ноутбуков у обеих типов оперативки нет – разница только в физических размерах и количестве коннектов на шине. Стоит отметить, что благодаря компактным габаритам обычно оперативка для ноута стоит дороже.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

  • DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
  • DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
  • DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
  • DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Технические характеристики

Прежде чем говорить, что лучше DDR3 или DDR4 и проводить их сравнения следует подробно ознакомиться с их техническими характеристиками и возможностями, а также их преимуществами и недостатками. Данный подход позволит правильно и точно определить будущее модулей памяти и выявить перспективный образец.

DDR3

Основными характеристиками для оперативной памяти не зависимо от ее поколения являются следующие характеристики:

  • Частота. ОЗУ третьей модели выпускается с частотой 1066 МГц, 1333 МГц и 1600 МГц, а последняя модификация имеет 1866 МГц. При помощи разгона памяти ее частоту можно повысить до 2400 – 2666 МГц. Максимальное значение этого параметра при разгоне, которое было получено в лабораторных условиях, составляет 4620 МГц.
  • Напряжение. Энергопотребление варьируется в диапазоне 1,5 – 1,8 В. Последняя версия DDR3L способна работать при низком напряжении 1,25 – 1,35 В. Индекс L означает Low Power (с англ. – малая мощность).
  • Время простоя. Для определения производительности планки памяти одним из важных параметров являются тайминги или латентность (CL), т. е. задержка при передаче информации. DDR3 1600 МГц имеет задержку равную 9 тактам, для получения временного значения необходимо 1 сек. разделить на 1600 млн. тактов и получаем 0,625 мс на 1 такт. Результат умножаем на 9 тактов и получаем 5,625 нс. Далее умножаем на 2 (количество потоков передачи данных) и время задержки составляет 11,25 нс.

Совет. Значение латентности можно определить из маркировки оперативной памяти после букв CL. Соответственно, чем ее значение меньше, тем выше производительность устройства.

DDR4

ОЗУ четвертого поколения обладает более высокими параметрами технических характеристик, за счет которых оно обходит своего предшественника.

  • Частота. Минимальное значение тактовой частоты составляет 2133 МГц, при оптимизации необходимых процессов ее можно повысить от 2800 до 3000 МГц. При выполнении разгона оборудования параметр легко увеличит до 4800 МГц.
  • Энергопотребление. Оперативная память DDR4 разрабатывалась для работы с низковольтным напряжением. Для частотного диапазона 2133 – 2400 МГц значение напряжения составляет 1,2 В, что в несколько раз снижает объем выделяемой тепловой энергии.
  • Тайминг. Латентность ОЗУ четвертой модификации для 2133 МГц составляет 15 тактов, в переводе на время задержка равна 14 нс.

DDR3

Подобно предшественнику, выпускаются в виде 240-контактной планки, однако несовместимы из-за разных разъемов (далее расскажу об этом более подробно).

Тип памяти отличается еще большей частотой и меньшим энергопотреблением, а также увеличением предподкачки с 4 до 8 бит. Существует модификация DDR3L со сниженным до 1,35 В рабочим напряжением. Кстати, о частоте. Есть несколько модификаций: 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 или 2400 с соответствующей скоростью передачи данных.Выпускается с 2012 года. Компьютеры, использующий этот тип памяти, работают до сих пор. Объем установленных модулей от 1 до 16 Гб. В формфакторе SO-DIMM «потолок» – 8 Гб.

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы. Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия. Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа (типа CPU-Z) и зайти во вкладку SPD.

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

Особенности DDR3L

Конструкция планок DDR3L практически не отличается от DDR3. Они также оснащены 240 контактами и обладают такими же размерами, кроме высоты.

Также, данный вид оснащен системой пассивного охлаждения, что позволяет ее разгонять, увеличивает производительность, так как повышается потребление энергии. Модуль памяти не выйдет из строя раньше, чем положено, так как тепло будет рассеиваться и не произойдет перегрев.

Стоит отметить, что с 2012 года на рынке можно встретить модификации этой памяти, разработанные для смартфонов DDR3L-RS.

В маркировке памяти, L – это Low, то есть, низкое потребление энергии. В отличии от DDR3 данный вид памяти требует источник, напряжение которого 1,35 В. Это на 10-15% меньшем чем DDR3 и на 40% меньшем чем DDR2. Благодаря тому, что тепла выделяется меньше, то и пассивное охлаждение не нужно, а это сокращает тайминги и делает работу стабильнее и производительнее. Все остальные характеристики ничем не отличаются от DDR3.

DDR3L нельзя заменить на DDR3 т.к. установка в слот для первого типа приведет к несовместимости и запуск не произойдет. Но в обратном порядке возможна замена, однако плата может нагреваться, так как DDR3 требует больше энергии.

Выводы

В случае с DDR3 памятью и материнской платой поддерживающей низковольтную память, теоретически, можно заставить работать любую память в любой материнской плате, если немного поэкспериментировать с напряжением, частотами и таймингами. Но, лучше использовать именно ту память которая рекомендована для материнской платы и процессора. Так можно сэкономить немало времени и нервов и заниматься за компьютером тем, чем планировалось. А сборку и тестирование нестандартных конфигураций лучше оставить энтузиастам-оверклокерам. Модули DDR3l можно использовать в системных платах рассчитанных на любые типы DDR3.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Андрей Измаилов
Наш эксперт
Написано статей
116
Добавить комментарий